Электронные компоненты

Биполярные транзисторы

Условные обозначения биполярных транзисторов.

Принцип построения условных обозначений для полупроводниковых приборов определён ГОСТ 2.730-73.

Обозначения элементов полупроводниковых приборов

Электрод «база» с одним выводомЭлектрод «база» с одним выводом ГОСТ 2.730-73
Электрод «база» с двумя выводамиЭлектрод «база» с двумя выводами ГОСТ 2.730-73
Р-эмиттер с N-областьюР-эмиттер с N-областью ГОСТ 2.730-73
N-эмиттер с P-областьюN-эмиттер с P-областью ГОСТ 2.730-73
Несколько Р-эмиттеров с N-областьюНесколько Р-эмиттеров с N-областью ГОСТ 2.730-73
Несколько N-эмиттеров с P-областьюНесколько N-эмиттеров с P-областью ГОСТ 2.730-73
Коллектор с базойКоллектор с базой ГОСТ 2.730-73
Несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базеНесколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе ГОСТ 2.730-73
Область между проводниковыми слоями с различной электропроводностьюОбласть между проводниковыми слоями с различной электропроводностью ГОСТ 2.730-73
Область собственной электропроводности (I-область) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIPОбласть собственной электропроводности (I-область) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP ГОСТ 2.730-73
Область собственной электропроводности (I-область) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NINОбласть собственной электропроводности (I-область) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN ГОСТ 2.730-73
Область собственной электропроводности (I-область) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIPОбласть собственной электропроводности (I-область) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP ГОСТ 2.730-73
Область собственной электропроводности (I-область) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NINОбласть собственной электропроводности (I-область) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN ГОСТ 2.730-73
Канал проводимости для полевых транзисторов обогащенного типаКанал проводимости для полевых транзисторов обогащенного типа ГОСТ 2.730-73
Канал проводимости для полевых транзисторов обедненного типаКанал проводимости для полевых транзисторов обедненного типа ГОСТ 2.730-73
Переход PNПереход PN ГОСТ 2.730-73
Переход NP Переход NP  ГОСТ 2.730-73
Р-канал на подложке N-типа, обогащенный типР-канал на подложке N-типа, обогащенный тип ГОСТ 2.730-73
N-канал на подложке P-типа, обедненный типN-канал на подложке P-типа, обедненный тип ГОСТ 2.730-73
Затвор изолированныйЗатвор изолированный ГОСТ 2.730-73
Исток и стокИсток и сток ГОСТ 2.730-73
Выводы полупроводниковых приборов, электрически не соединенные с корпусомВыводы полупроводниковых приборов, электрически не соединенные с корпусом ГОСТ 2.730-73
Выводы полупроводниковых приборов, электрически соединенные с корпусомВыводы полупроводниковых приборов, электрически соединенные с корпусом ГОСТ 2.730-73
Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точкуВывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку ГОСТ 2.730-73

Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов

Эффект туннельный прямойЭффект туннельный прямой ГОСТ 2.730-73
Эффект туннельный обращенныйЭффект туннельный  обращенный ГОСТ 2.730-73
Эффект лавинного пробоя одностороннийЭффект лавинного пробоя односторонний ГОСТ 2.730-73
Эффект лавинного пробоя двухстороннийЭффект лавинного пробоя двухсторонний ГОСТ 2.730-73
Эффект ШотткиЭффект Шоттки ГОСТ 2.730-73

Примеры построения обозначений транзисторов

Транзистор типа PNPТранзистор типа PNP ГОСТ 2.730-73
Транзистор типа NPN с выводом от внутреннего экранаТранзистор типа NPN с выводом от внутреннего экрана ГОСТ 2.730-73
Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусомТранзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом ГОСТ 2.730-73
Транзистор лавинный типа NPNТранзистор лавинный типа NPN ГОСТ 2.730-73
Транзистор однопереходный с N-базойТранзистор однопереходный с N-базой ГОСТ 2.730-73
Транзистор однопереходный с P-базойТранзистор однопереходный с P-базой ГОСТ 2.730-73
Транзистор двухбазовый типа NPNТранзистор двухбазовый типа NPN ГОСТ 2.730-73
Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-областиТранзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области ГОСТ 2.730-73
Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-областиТранзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области ГОСТ 2.730-73
Транзистор многоэмиттерный типа NPNТранзистор многоэмиттерный типа NPN ГОСТ 2.730-73

Пример №1 обозначения на схеме

Пример схемы с биполярными транзисторами

На схеме по условным обозначениям видно, что VT1, VT2 и VT5 - транзисторы биполярные, проводимость PNP. Транзисторы VT3 и VT4 также биполярные, но обратной проводимости - NPN. Обозначения в кружках значат, что транзисторы выполнены в корпусах.

ГОСТ допускает зеркльльно и вертикально отражать изображения транзистора для лучшей читаемости схем.

Пример №2 обозначения на схеме

Пример TTL схемы с биполярными транзисторами

На второй схеме видим, что один транзистор двухэмиттерный, а ещё три - обыкновенные. Все они биполярные. Видим, что проводимость у них NPN, т.е., обратная. Отсутствие кружочков означает отсутствие корпусов, что говорит нам о том, что транзисторы бескорпусные или интегральные, а приведённая схема - это микросхема или часть микросхемы.

Завиток