Электронные компоненты

Биполярные транзисторы

Классификация биполярных транзисторов

По типу проводимости

Подразделяются на P-N-P и N-P-N транзисторы.

Схема и обозначения биполярных транзисторов

По функционированию P-N-P и N-P-N транзисторы идентичны. Но схема включения относительно полюсов источника электропитания - зеркальная.

Схемы с общим эмиттером для транзисторов разной проводимости

По мощности

Транзисторы, способные рассеивать своим корпусом мощность 0,3Вт и менее являются транзисторами малой мощности.

Транзисторы, способные рассеивать своим корпусом мощность от 0,3Вт и до 1,5Вт являются транзисторами средней мощности.

Транзисторы, способные рассеивать своим корпусом мощность более 1,5Вт являются транзисторами большой мощности.

По частоте

Транзисторы, граничная частота которых менее 3 МГц являются низкочастотными.

Транзисторы, граничная частота которых от 3 МГц до 30 МГц являются транзисторами средней частоты.

Транзисторы, граничная частота которых от 30 МГц до 300 МГц являются высокочастотными.

Транзисторы, граничная частота которых более 300 МГц являются сверхвысокочастотными транзисторами.

По материалу полупроводника

Бывают кремниевые, германиевые, арсенид-галиевые.

По назначению

Транзисторы, которые специально сделаны так, чтобы иметь наилучшие характеристики при работе в переключательных схемах называются переключательные.

Транзисторы, которые специально сделаны так, чтобы иметь наилучшие характеристики при работе в генераторах сигналов называются генераторные.

Транзисторы, которые могут работать как в переключательных, так и в усилительных и генераторных схемах являются транзисторами широкого применения.

По технологии изготовления

Бывают эпитаксиально-планарные, сплавно-диффузионные, диффузионно-планарные, сплавные, мезапланарные.

По корпусному исполнению

Бывают бескорпусные, выполненные в виде открытых кристаллов с тремя золотыми проволочками в качестве выводов.

Выполненные в отдельных определённых корпусах.

Некоторые особые виды биполярных транзисторов.

Лавинные транзисторы. Имеют во входных и выходных характеристиках участки с отрицательным динамическим сопротивлением. Используются для генерации мощных наносекундных импульсов, для генерации высокочастотных колебаний.

Транзисторы Дарлингтона. Представляют собой два транзистора в одном корпусе, соединённые по схеме Дарлингтона. Имеют очень большие значения статического коэффициента усиления по току порядка десятков тысяч.

Транзисторы со встроенным защитным диодом, подключенным в обратном направлении между коллектором и эмиттером.

Фототранзисторы. Имеют оптически проницаемый корпус и возможность засветки области базы. Управляются светом.

Транзисторные сборки. Представляют собой два и более самостоятельных транзистора, выполненные в одном корпусе.

Завиток